东升杯 | 三等奖获奖项目利普思半导体完成近亿元人民币A轮融资

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东升杯 | 三等奖获奖项目利普思半导体完成近亿元人民币A轮融资

 

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“东升杯”国际创业大赛通过链接全球优质创新资源,聚合全球创新节点,旨在打造由单点突破转向多要素协同的全球创新生态。以全新的生态服务体系深度赋能,促进项目孵化落地。为全球创新创业新动能持续提供汇聚尖端优势和科技支持的创新平台。

 

12月1日,无锡利普思半导体有限公司(以下简称“利普思”)完成近亿元人民币A轮融资,由德联资本领投,沃衍资本、飞图创投跟投。该轮资金将主要用于公司无锡与日本研发设备投入,以及研发投入、管理运营和市场推广。

 

利普思凭借着第三代功率半导体SiC模块技术,以高可靠性、高功率密度的模块封装技术打破国际垄断,通过优异的表现荣获2021第九届“东升杯”国际创业大赛三等奖

路演现场

 

利普思成立于2019年,专注高性能SiC与IGBT功率模块的研发、生产和销售,拥有创新的封装材料和封装技术,为新能源汽车、氢能车、光伏等行业应用的控制器提供小型化、轻量化和高效化的功率模块解决方案。目前,公司已经申请专利26项,其中发明专利13项。

 

突破难题的专利芯片表面连接技术

功率半导体作为电能转换的核心器件,广泛应用于新能源汽车、轨道交通、工业控制、光伏和风电等领域,市场空间巨大。据市场研究机构IHS数据,今年我国功率半导体市场规模有望达159亿美元(约1015亿人民币),到2024年,全球功率半导体市场规模预计将超过500亿美元(约3193亿人民币)。

 

尽管我国功率半导体市场占据了全球超1/3的规模,但面向高端领域的功率器件国产率极低,高端国产功率模块的可靠性不足也导致市占率较低,90%以上的中高端MOSFET及IGBT,SiC器件仍然依赖进口。

 

中高端器件的产品难点在于,一是高端功率器件主要应用在新能源汽车、风力发电、光伏等领域,这些领域对功率模组的电气设计、散热、机械,可靠性,工艺等方面都有着高要求。国外如英飞凌、三菱等国际大厂早已积累了成熟技术和竞争优势,但国内的IGBT与SiC模组设计与制造工艺相对落后,仍处于追赶阶段。

 

二是芯片设计方面,小功率芯片通常采用单管电流设计,而大功率芯片需要集成到模组中,通过更多芯片并联达到大功率电流的效果,尤其是汽车应用中,国内相关模组企业同样与国际水平存在差距。

 

值得一提的是,SiC半导体与传统的硅基半导体相比,拥有高温下稳定工作、导通电阻低、开关速度快、散热性能好等优势。更重要的是,SiC半导体在全球范围内没有成熟的封装技术,具有广阔的市场发展前景。

 

目前,利普思的核心产品覆盖SiC和IGBT两个品类,其中应用于氢能商用车和光伏的SiC,以及应用在充电桩、工业变频器、商用车等方面的IGBT已实现批量生产。值得注意的是,尽管SiC作为第三代功率半导体,在性能效率、可靠性和小型轻量化方面具备优势,但SiC对IGBT的替代主要集中在高端应用市场,在低端市场则是两者共存的格局。

利普思联合创始人、COO丁烜明表示,公司的第三代功率半导体SiC模块技术水平已能和国际知名品牌产品展开直接竞争,尤其是其采用的全银烧结,使用利普思专利的芯片表面连接技术的直接水冷结构,电气特性,散热,功率密度已经达到了国际领先水平。

 

业内的其他公司,例如特斯拉的SiC模块采用了单管方案,每个单管集成2块芯片,共并联24个小单管。该方案的对单管的封装、焊接、连接一致性要求很高,系统应用的工艺难度系数大,目前国内厂家更青睐于集成度更高的高性能SiC模组方案。

 

实力雄厚的日本研发中心

利普思一系列技术优势实现的背后,与公司团队的正向开发能力息息相关。目前,公司在日本设有研发中心,该研发中心已初具规模,将形成完整的先进模块封装和验证测试能力。公司已经拥数十位涵盖芯片设计、封装材料、封装设计、生产工艺、模块应用等领域的中国与日本的行业专家。

 

其中,公司创始人、CEO梁小广曾任职于三菱电机、安森美、采埃孚,拥有16年以上IGBT、SiC功率半导体研发经验,以及多项相关国际专利;公司联合创始人、COO丁烜明曾任上海电驱动事业部总监,熟悉电动汽车客户、供应链和质量体系要求;联合创始人邱威曾就职于理查森,有十几年的电子器件行业销售经验;日本研发团队成员平均半导体从业时间为20年以上,曾就职于三洋,三菱、东芝、日立等公司,研发中心负责人之一的夏目先生曾担任安森美日本总经理。

 

利普思的SiC产品已于今年下半年开始量产,明年销售额将实现一个大的突破,SiC模块将超数十万个。

公司将在2022年完成乘用车SiC模块产品量产,其中下一代SiC控制器平台将比市面上同样电流的模块体积减小30%以上,还可根据不同电流要求定制,覆盖150KW-400KW功率。

 

产品推广方面,利普思已经以氢能商用车作为市场突破口,逐步拓展到其他商用车市场,以及光伏等工业市场,同时重点布局乘用车市场。

 

第三代功率半导体Sic模块技术前景展望

德联资本执行董事方宏博士表示:

在能源结构调整的大环境下,能源供给侧和消费侧设备和器件功率密度的提升是必然趋势,SiC应用正在全面加速,然而衬底、外延、器件、封装各个环节技术Knowhow大相径庭,应用端也都在追求极致性能和差异化方案。利普思是国内少有的从基础材料到封装工艺进行底层创新研发和量产的SiC模块团队,非常看好其在汽车、光伏、工业等领域大有作为。”

 

沃衍资本合伙人金鼎博士表示:

全球范围内功率半导体的升级正在随着多个下游产业,特别是对基于第三代半导体器件所引领的解决方案正在孕育着巨大的市场机会。利普思半导体虽然不是行业的先行者,却汇聚了国内外少有的实战经验丰富(包括一批日本功率行业龙头)的行业技术专家,成功的在多种功率模块上进行了创新设计及材料革新,并有望以此突破国外在此方向的垄断,不断地推进功率模块的高效化、小型化,非常期待沃衍资本和利普思的合作,推动其成为国内优秀的功率模块供应商”。

 

飞图创投投资总监刘一明表示:

功率半导体是飞图创投重点布局的赛道,SiC是功率半导体未来最重要的发展方向,市场空间巨大。利普思半导体拥有行业内独特的SiC模块封装工艺技术,能够实现模块更小尺寸更高效率,并且产品已实现小批量产。期待未来利普思半导体凭借其领先的技术积累迎来更高速的发展前景。

 

大赛组委会再次恭喜利普思取得好成绩

在创新创业的道路上不断前行!

 

“东升杯”国际创业大赛

“东升杯”国际创业大赛通过链接全球优质创新资源,聚合全球创新节点,旨在打造由单点突破转向多要素协同的全球创新生态。以全新的生态服务体系深度赋能,促进项目孵化落地。自2013年首次启动以来,大赛已成功举办八届。累计吸引国内外优秀创业项目近10000余个,重点跟进孵化项目1000余个,提供培训、金融、品牌、政策、资源、空间、人才等科创服务29800余次。为全球创新创业新动能持续提供汇聚尖端优势和科技支持的创新平台。

 

– 指导单位 –

北京市人力资源和社会保障局

北京市科学技术委员会、中关村科技园区管理委员会

北京市海淀区人民政府

中关村科学城管理委员会

– 主办单位 –

北京市毕业生就业服务中心

海淀区人力资源和社会保障局

中关村东升科技园管理委员会

– 承办单位 –

北京东升博展投资管理有限公司

– 策划/执行单位 –

北京东升科技企业加速器有限公司

– 战略合作单位 –

-协办单位 –

– 独家短视频支持 –

 

 

 

 

 

 

 

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